Abstract:
RESUMO: A possibilidade de modulação do gap do grafeno a partir da dopagem com BN, nos motiva
a estudar o comportamento dessas estruturas com a presença de monovacânicas. Utilizando
a Teoria do Funcional da Densidade(DFT), estudou-se o comportamento de monocamdas de
BCN com maior concentração de BN e maior concentração de carbono com a presença de
monovacânicas. As vacâncias foram produzidas com a retirada de um átomo de Boro, Nitrogênio
e Carbono, obtendo assim seis novos sistemas a serem estudados. Foram analisadas as estruturas
de bandas, densidade de estados e densidade de cargas localizadas para estados próximo do nível
de Fermi. Verificou-se que para o caso em que se tem grande concentração de BN o sistema tem
um caráter semicondutor e exibi um comportamento magnético. Para o caso em que se tem
uma grande concentração de carbono concluiu-se que o material apresenta um caráter metálico,
sendo o carbono o principal responsável pelas propriedades eletrônica. ------------- ABSTRACT: The possibility of modulating the graphene gap from doping with BN motivates us to study the
behavior of these structures with the presence of monovacanics. Using the Density Functional
Theory (DFT), the behavior of BCN monolayers with higher concentration of BN and higher
concentration of carbon with the presence of monovacances was studied. The vacancies were
produced with the removal of an atom of Boron, Nitrogen and Carbon, obtaining thus six
new systems to be studied. We analyzed the band structures, state density and density of
localized loads to states near the Fermi level. It was verified that for the case where there is a
high concentration of BN the system has a semiconductor character and exhibited a magnetic
behavior. For the case where there is a great carbon concentration, it was concluded that the
material has a metallic character, the carbon being the main one responsible for the electronic
properties.
