Abstract:
RESUMO: A técnica de elipsometria padrão vem mostrando-se bastante eficiente na caracterização
de óxidos condutores transparentes (TCOs). O óxido de zinco (ZnO) é um semicondutor com
um grande band gap (EG = 3.2 eV) tendo uma boa condutividade e transparência na região do
espectro visível. Os filmes analisados neste trabalho foram obtidos através da conversão termal
de um precursor orgânico (acetato de zinco di-hidratado) em um material inorgânico a uma
temperatura de 300º C, depositado sobre um substrato de SiO2/Si-cristalino por dois diferentes
métodos: spin-coat e spray-pyrolysis. Os estudos foram realizados com a utilização de três
modelos: Drude/F&B (Forouhi-Bloomer)/Lorentz, Drude/Tauc-Lorentz/Lorentz e
Drude/Tanguy/Lorentz. O modelo que obteve os melhores resultados para a comparação entre
os métodos de deposição foi: Drude/Tanguy/Lorentz, no qual se constatou a maior
condutividade dos filmes depositados por spray-pyrolysis e diferenças em transições na região
do ultravioleta representadas através de uma banda de Lorentz.
É possível expandir o uso da elipsometria para materiais não-axiais (materiais cujas
propriedades mudam com a direção de análise), por meio da elipsometria generalizada que
obtém as matrizes de Jones com medidas realizadas em função da rotação do estado de
polarização analisado. Para tanto foi necessário desenvolver um programa que permitisse
analisar e ajustar os dados. Utilizando o SiO2/Si-cristalino como amostra e uma regressão dos
dados experimentais usando a linguagem Maple, onde alimentado com as medidas e
considerando uma amostra geral (não-axial) encontramos parâmetros para descrever o SiO2
como sendo axial,resultado condizente com o que se tem na literatura. A aplicação específica
com quebra da simetria axial por um campo magnético encontra-se em andamento.
