PROPRIEDADES ESTRUTURAIS E ELETRÔNICA DE MONOCAMADAS DE BCN COM PRESENÇA DE MONOVACÂNCIAS.

Abstract

RESUMO: A possibilidade de modulação do gap do grafeno a partir da dopagem com BN, nos motiva a estudar o comportamento dessas estruturas com a presença de monovacânicas. Utilizando a Teoria do Funcional da Densidade(DFT), estudou-se o comportamento de monocamdas de BCN com maior concentração de BN e maior concentração de carbono com a presença de monovacânicas. As vacâncias foram produzidas com a retirada de um átomo de Boro, Nitrogênio e Carbono, obtendo assim seis novos sistemas a serem estudados. Foram analisadas as estruturas de bandas, densidade de estados e densidade de cargas localizadas para estados próximo do nível de Fermi. Verificou-se que para o caso em que se tem grande concentração de BN o sistema tem um caráter semicondutor e exibi um comportamento magnético. Para o caso em que se tem uma grande concentração de carbono concluiu-se que o material apresenta um caráter metálico, sendo o carbono o principal responsável pelas propriedades eletrônica. ------------- ABSTRACT: The possibility of modulating the graphene gap from doping with BN motivates us to study the behavior of these structures with the presence of monovacanics. Using the Density Functional Theory (DFT), the behavior of BCN monolayers with higher concentration of BN and higher concentration of carbon with the presence of monovacances was studied. The vacancies were produced with the removal of an atom of Boron, Nitrogen and Carbon, obtaining thus six new systems to be studied. We analyzed the band structures, state density and density of localized loads to states near the Fermi level. It was verified that for the case where there is a high concentration of BN the system has a semiconductor character and exhibited a magnetic behavior. For the case where there is a great carbon concentration, it was concluded that the material has a metallic character, the carbon being the main one responsible for the electronic properties.